無錫新潔能專業從事半導體功率器件的研發與銷售。目前公司主要產品包括：12V~250V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關核心技術已獲得多項專利授權，四大系列產品均獲得江蘇省高新技術產品認定。
產品分類:
1.溝槽型（Trench）功率MOSET（12V-200V）:N溝道、P溝道、N+P溝道
2.屏蔽柵溝槽型（Super Trench ）功率MOSET（30V-150V）
3. 超結（Super Junction）功率 MOSET（600V-900V）
4.IGBT
一、溝槽型（Trench）功率MOSET
新潔能結合最先進的封裝技術將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度，我們推出TO-220H封裝外形（產品名稱后加標H），有效地增加了用戶在電路板裝配MOSFET的工作效率，并降低了成本。
特點與優勢：
·低FOM（Rdson*Qg） ·高雪崩耐量，100%經過EAS測試 ·低反向恢復電荷（Qrr），低反向恢復峰值電流（Irm）
·抗靜電能力（ESD） ·抗靜電能力（ESD） ·符合RoHS標準
應用：
·各類鋰電池保護模塊 ·手機、平板電腦等便攜式數碼產品電源管 ·LED TV等消費類電子產品電源
·電動交通工具控制器 ·不間斷電源，逆變器和各類電力電源 ·LED照明
二、屏蔽柵溝槽型（Super Trench ）功率MOSET
目前推出的量產品種包含30V~230V的電壓系列，同時為您帶來包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封裝外形選擇。
特點與優勢：
·極低的Rdson ·極低的Qg和Qgd ·極低的FOM（Rdson*Qg） ·高溫下的電流能力更強
·快速柔軟恢復的體二極管特性 ·低Crss/Ciss，增強抗EMI能力 ·高UIS耐量，100%出廠測試 ·符合RoHS標準
應用：
·交流/直流電源的同步整流 ·直流電機驅動 ·逆變器 ·電池充電器和電池保護電路
·36V-96V系統中的馬達控制 · 隔離的直流-直流轉換器 · 不間斷電源
三、超結（Super Junction）功率 MOSET
通過優化器件結構設計，采用先進的工藝制造技術，進一步提高了產品性能，推出 Super Junction MOSFET III
系列產品。其具有更快的開關速度、更低的導通損耗，極低的柵極電荷（Qg），從而降低了器件的功率損耗，提 高系統效率。 Super Junction MOSFET III 系列產品具有更優的雪崩耐量和 ESD 能力，提高了器件應用中的可靠 性。同時，該系列產品采用自主創新技術，優化了器件開關特性，使其在系統應用中具有更好的 EMI 表現，為系 統設計提供更大的余量。
Super Junction MOSFET III 技術目前推出的產品包含 500V、600V、650V、700V、800V 普通系列；以及針對 全橋、半橋、LLC 諧振開關等應用，優化體二極管特性的 500V、650V TF 系列；同時為您提供 TO-263、TO-252、 TO-220、TO-220F、TO-247 在內的多款封裝外形選擇。
產品特征：
·卓越的功率轉換效率 ·極低的導通功率損耗源于極低的特征導通電阻（Ron*A）
·極低的開關功率損耗和驅動功率損耗源于極低的FOM（Ron*Qg） ·更小的封裝體積 ·卓越的EAS能力（100% EAS測試）
產品應用：
· 電腦、服務器的電源 · 適配器（筆記本電腦，打印機等
· 照明（HID/LED照明，工業照明，道路照明等 · 消費類電子產品（液晶電視，等離子電視等）
四、IGBT
針對不同的應用需求，推出了完善的IGBT產品系列，確保在特定應用中，器件保持最佳工作狀態，助您實現最理想的整機效率。
對于焊接、太陽能、UPS、電機驅動和家用電器等硬開關應用，推出了低速（<20KHZ）和高速系列（<60KHZ）產品系列，提供各種封裝形式，方便用戶靈活設計。
對于感應加熱、太陽能等諧振開關應用，推出了新一代1200V、1350V產品系列，具有高擊穿電壓、大通流容量等優勢；與反并聯二極管或單片集成二極管合并封裝，方便應用設計。
特點與優勢：
- 低導通壓降（VCEsat） - 低開關損耗（Ets） -短路能力10us - 低電磁干擾
- 電參數重復性和一致性 - 高可靠性 - 高溫穩定性 - 符合RoHS標準
應用：
- 電機驅動 - 逆變焊機 - 不間斷電源UPS - 變頻器
- 工業逆變器 - 太陽能功率轉換器 - 電磁感應加熱 - 諧振開關應用
